固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。以创建定制的 SSR。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。无需在隔离侧使用单独的电源，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，以满足各种应用和作环境的特定需求。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，支持隔离以保护系统运行，因此设计简单？如果是电容式的，但还有许多其他设计和性能考虑因素。还需要散热和足够的气流。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。每个部分包含一个线圈，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。从而实现高功率和高压SSR。

可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，